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上海澄洋多晶硅電阻線性度補償方法研究

2022-03-29 13:41:34
[導(dǎo)讀]介紹了多晶硅電阻非線性度對信號鏈整體電路性能的影響,分析了多晶硅電阻非線性產(chǎn)生的原因。提出了襯底電位補償和組合多晶補償兩種非線性補償設(shè)計方法。采用仿真和測試,對比了未經(jīng)補償、新補償方法的12位D/A轉(zhuǎn)換器的性能。上海澄洋儀器儀表有限公司結(jié)果表明,經(jīng)過多晶硅電阻補償和非線性補償后的D/A轉(zhuǎn)換器達到了。

復(fù)雜填埋環(huán)境下,HDPE膜漏洞處電阻率特征及其影響因素、影響機制不明,制約了電法精準量化滲漏量在填埋領(lǐng)域的應(yīng)用?;诜罎B層滲漏電法檢測原理,采用模擬滲漏裝置和填埋場等效電路模型探析激勵電壓(20~200 V)、漏洞半徑(1.0~12.5 mm)和滲濾液電阻率(0.68~2.60 Ω·m)等關(guān)鍵因素。上海澄洋儀器儀表有限公司對測量總電阻和漏洞電阻的影響規(guī)律和機制。結(jié)果表明:漏洞半徑對于測量總電阻的影響呈冪函數(shù),在漏洞半徑小于4 mm,激勵電壓在20~40 V區(qū)間時,測量總電阻穩(wěn)定性較差,而漏洞半徑大于4 mm且激勵電壓大于40 V時,測量總電阻穩(wěn)定性較好;上海精科了解到漏洞電阻隨滲濾液電阻率變化明顯且與滲濾液電阻率呈線性關(guān)系,表明滲濾液電阻率是影響漏洞電阻的主要因素之一。研究顯示,測量總電阻、滲濾液電阻率與漏洞半徑之間存在顯著相關(guān)關(guān)系,受實際場地條件差異影響,不同填埋場地關(guān)系模型存在差異,可通過現(xiàn)場實驗構(gòu)建以測量總電阻和滲濾液電阻率為變量的漏洞半徑表征關(guān)系模型,擴大基于電法的滲漏量化精準評估方法的適用范圍。 

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